Краткая аннотация:
В учебном пособии рассмотрены основные понятия физики полупроводников, свойства важных полупроводниковых материалов и характеристики полупроводниковых барьерных структур (барьеров Шоттки, p–n-переходов, гетеропереходов, МДП-структур). Обсуждаются принципы действия, основные характеристики и конструкции различных типов полупроводниковых приборов. Дано представление о технологических операциях при изготовлении полупроводниковых структур и интегральных микросхем. Пособие предназначено для студентов старших курсов высших учебных заведений, обучающихся по направлениям «Физика», «Радиофизика», «Электроника и наноэлектроника», а также аспирантов и выпускников, работающих в области полупроводниковой электроники и оптоэлектроники. |
